·奇梦达扩展与中芯国际技术合作协议
全球领先的存储产品供货商奇梦达公司与中芯国际集成电路制造有限公司,世界领先的集成电路芯片代工公司之一,今日宣布签署协议,扩大双方于标准内存芯片 (DRAM) 的技术合作。
新华美通 | 本刊记者 新华美通 | 2007年08月02日 第 3 期刊载
2007年08月22日
星期三
本站发布
德国慕尼黑和中国上海8月21日电 /新华美通/ -- 全球领先的存储产品供货商奇梦达公司(“Qimonda”,纽约证交所股票代码 QI)与中芯国际集成电路制造有限公司(“SMIC”,纽约证券交易所:SMI,香港联合交易所:0981),世界领先的集成电路芯片代工公司之一,今日宣布签署协议,扩大双方于标准内存芯片 (DRAM) 的技术合作。
根据该项协议,奇梦达将转移其80奈米 DRAM 沟槽技术予中芯国际位于北京的12吋晶圆厂。中芯国际将运用此技术,为奇梦达制造针对各种计算机运算应用的专属 DRAM 组件。此外,合作协议并包括未来将奇梦达的75奈米技术转移给中芯国际的选择权。
奇梦达公司全球总裁暨首席执行官罗建华 (Kin Wah Loh) 表示:“奇梦达透过与中芯国际之间的合作扩展,实践了致力与亚洲伙伴建立良好关系的承诺,也同时进一步提升我们的产能。”
中芯国际公司总裁暨首席执行官张汝京博士表示:“我们很高兴与奇梦达公司进一步拓展伙伴关系,并延伸至80奈米 DRAM 的制造生产。两家公司的合作将持续推动中芯国际在内存产品策略上技术的先进发展。”
就1995年私人有价证券诉讼改革法案作出的“安全港”提示声明本新闻发报之内容,可能载有前瞻性陈述之字眼。(除历史资料外)或含有依据 U.S. Securities Act 1933(已修订)第 27A 条文及 U.S. Securities Exchange Act 1934(已修订)第 21E 条文所界定的“前瞻性陈述”。该等前瞻性陈述存在重大已知及未知风险、不确定性,以及其它可能导致中心实际业绩、财政状况或经营结果与前瞻性陈述所载资料存在重大差异的因素。有关该等风险、不确定性,以及其它因素之进一步资料已包括在中芯于二零零五年六月二十八日提交与美国证券交易所之 20-F 年报及其它中芯需不时提交与美国证券交易所或香港联合交易所有限公司之文件内。
根据该项协议,奇梦达将转移其80奈米 DRAM 沟槽技术予中芯国际位于北京的12吋晶圆厂。中芯国际将运用此技术,为奇梦达制造针对各种计算机运算应用的专属 DRAM 组件。此外,合作协议并包括未来将奇梦达的75奈米技术转移给中芯国际的选择权。
奇梦达公司全球总裁暨首席执行官罗建华 (Kin Wah Loh) 表示:“奇梦达透过与中芯国际之间的合作扩展,实践了致力与亚洲伙伴建立良好关系的承诺,也同时进一步提升我们的产能。”
中芯国际公司总裁暨首席执行官张汝京博士表示:“我们很高兴与奇梦达公司进一步拓展伙伴关系,并延伸至80奈米 DRAM 的制造生产。两家公司的合作将持续推动中芯国际在内存产品策略上技术的先进发展。”
就1995年私人有价证券诉讼改革法案作出的“安全港”提示声明本新闻发报之内容,可能载有前瞻性陈述之字眼。(除历史资料外)或含有依据 U.S. Securities Act 1933(已修订)第 27A 条文及 U.S. Securities Exchange Act 1934(已修订)第 21E 条文所界定的“前瞻性陈述”。该等前瞻性陈述存在重大已知及未知风险、不确定性,以及其它可能导致中心实际业绩、财政状况或经营结果与前瞻性陈述所载资料存在重大差异的因素。有关该等风险、不确定性,以及其它因素之进一步资料已包括在中芯于二零零五年六月二十八日提交与美国证券交易所之 20-F 年报及其它中芯需不时提交与美国证券交易所或香港联合交易所有限公司之文件内。
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