·闪存这位问题“少年”

　一直笼罩在“前景堪忧”阴云中的闪存，正在给业界创造更大的想象空间。

自诞生之日起，闪存就始终问题缠身。一方面，它没有主内存的数据存取速度快;另一方面，它没有磁盘的可读写次数多。但恰恰是这种“中庸”，使得闪存近年来在消费电子等新领域得到了快速发展和应用。而与此同时，有关它生存和前景的话题，也一直处于或明或暗的争论中。

首当其冲的，无疑是闪存正在面临着与磁盘相同的物理制造瓶颈。目前业内所公认的是，45纳米制程对于现有的闪存存储单元设计是一道坎。而对于大多数闪存制造商而言，无法推进闪存的容量、缩小体积，就意味着无法在该领域进一步获取利润。

在摩尔定律之下，可以预见的危机就像远处的一座大山。一方面，半导体制造商在不断研发新技术，尽可能长的延续闪存的生机;另一方面，它们也在积极地开发新型的替代技术。

2006年9月，三星宣布已成功开发出40纳米制程工艺、容量达4GB的NAND闪存芯片(目前主流闪存芯片中的一种分支技术)。同时，三星还表示，将采用一种名为“CTF”的新型架构，来替代由东芝公司发明的、传统闪存中一直采用的“浮栅”结构，可使“闪存制程达到30纳米甚至20纳米”。

如果该技术能够实现，无疑将极大地打击业内的其他竞争者。分析师对三星所言的这一“神秘”的技术充满了兴趣，因为要实现40纳米制程已经“很富挑战性”。可以看到，几年前便把赌注押在NAND闪存上的三星，正在该领域奋力一搏。